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Fairchild产品 - FDD10AN06_F085介绍

FDD10AN06_F085 - 60 V、50 A、9.4 mΩ、Dual DPAKN 沟道 PowerTrench

FDD10AN06_F085是Fairchild仙童半导体公司的一款车用N沟道MOSFET产品，FDD10AN06_F085是60 V、50 A、9.4 mΩ、Dual DPAKN 沟道 PowerTrench，本站介绍了FDD10AN06_F085的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDD10AN06_F085相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDD10AN06_F085 - 60 V、50 A、9.4 mΩ、Dual DPAKN 沟道 PowerTrench - 车用N沟道MOSFET - 车用分立功率器件 - 仙童半导体

FDD10AN06_F085 - 产品描述
FDD10AN06_F085 - 产品特性
  • rDS(ON) = 9.4 mΩ（典型值）（VGS = 10 V、ID = 50 A）
  • Qg(tot) =（典型值），VGS = 10V
  • 低密勒电荷
  • 低 Qrr 体二极管
  • UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）
  • 符合 AEC Q101
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDD10AN06_F085 - 产品应用
    以下列出了FDD10AN06_F085相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDD10AN06A0_F085量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.6141
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