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Fairchild产品 - FDD1600N10ALZD介绍

FDD1600N10ALZD - BoostPak（N 沟道 PowerTrench MOSFET + 二极管）100 V，6.8 A，160 mΩ

FDD1600N10ALZD是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDD1600N10ALZD是BoostPak（N 沟道 PowerTrench MOSFET + 二极管）100 V，6.8 A，160 mΩ，本站介绍了FDD1600N10ALZD的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDD1600N10ALZD相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDD1600N10ALZD - BoostPak（N 沟道 PowerTrench MOSFET + 二极管）100 V，6.8 A，160 mΩ - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDD1600N10ALZD - 产品描述

该N沟道MOSFET采用飞兆半导体的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。NP二极管是超高速整流器，具有低正向电压降和卓越的开关性能。

FDD1600N10ALZD - 产品特性
  • RDS(on) = 124 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 3.4 A
  • RDS(on) = 175 mΩ（典型值）@ VGS = 5.0 V，ID = 2.1 A
  • 低栅极电荷（典型值 2.78 nC）
  • 低 Crss（典型值2.04 pF)
  • 快速开关
  • 100%经过雪崩测试
  • 提高了 dv/dt 性能
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDD1600N10ALZD - 产品应用

    • LED电视
    • 消费型设备

    以下列出了FDD1600N10ALZD相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDD1600N10ALZD量产-ROHS：截至2012年9月$0.4159
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