FOD8320是一个2.5A的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动中等功率的IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET。

它采用飞兆半导体的共面封装技术Optoplanar以及优化的IC设计，可实现可靠的高绝缘电压和高抗噪能力。

它是由与具有高速驱动器的集成电路进行光耦合的铝砷化镓(AlGaAs)发光二极管组成，可实现推挽式MOSFET输出级。该器件包含在一个宽体5引脚小型塑料封装中。

■ 飞兆Optoplanar封装技术提供大于10mm爬电和安全距离以及0.5mm内部绝缘距离的可靠高压绝缘，同时还提供紧凑的尺寸 ■ 2.5A输出电流驱动能力，针对中等功率IGBT/MOSFET

• P沟道MOSFET在输出级可实现接近于电源电压轨的使能输出电压摆幅

■ 35kV/μs最小共模抑制■ 宽电源电压范围： 15V至30V■ 在完整工作温度范围内的快速开关速度：

• 400ns（最大值） 传播延迟
• 100ns（最大值） 脉宽失真度

■ 带有滞后功能的欠压闭锁(UVLO)■ 扩展工业温度范围： -40V至100°C■ 安全和法规认证：

• UL1577，5,000 VRMS持续1分钟
• DIN EN/IEC60747-5-2（待审批）

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

• AC-DC商用电源
• 工业级电机
• 消费型设备

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FOD8320R2	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$1.94
FOD8320V	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$1.92
FOD8320R2V	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$1.96
FOD8320	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$1.9

• HGTG12N60C3D - 24A，600V，UFS 系列 N 沟道 IGBT（具有反并的超快二极管）
• FGH60N60SFD - 600V，60A，场截止IGBT
• FSA550 - 4PST 耗尽型隔离开关
• FCH47N60F_F085 - 600 V、47 A、66 mΩ、TO-247N 沟道 SuperFET
• SMCJ160A - 1500W瞬态电压抑制二极管
• MMBZ5245B - 15V 350mW 5%齐纳
• 2N5088 - NPN通用放大器
• 1N5397 - 1.5A通用整流器
• FQP8N60C - N 沟道 QFET MOSFET
• SG6961 - CrCM PFC 控制器