仙童半导体官网，Fairchild代理商
Fairchild(仙童半导体,ONSEMI安森美)产品型号搜索：
专营Fairchild（仙童半导体，ONSEMI安森美）元器件，强大的现货交付能力，解决您的采购难题
全流程提供Fairchild（仙童半导体，ONSEMI安森美）现货供应链服务
当前位置：仙童半导体代理 > > 仙童半导体芯片 >> HGTG12N60C3D
HGTG12N60C3D技术文档下载：
HGTG12N60C3D技术文档产品手册下载
Fairchild仙童半导体芯片：
承诺原装正品
专营Fairchild仙童半导体，真正优化您的供应链
Fairchild产品 - HGTG12N60C3D介绍

HGTG12N60C3D - 24A，600V，UFS 系列 N 沟道 IGBT（具有反并的超快二极管）

HGTG12N60C3D是Fairchild仙童半导体公司的一款分立式 IGBT产品，HGTG12N60C3D是24A，600V，UFS 系列 N 沟道 IGBT（具有反并的超快二极管），本站介绍了HGTG12N60C3D的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与HGTG12N60C3D相关的Fairchild元器件型号供参考。

HGTG12N60C3D - 24A，600V，UFS 系列 N 沟道 IGBT（具有反并的超快二极管） - 分立式 IGBT - IGBT - 仙童半导体

HGTG12N60C3D - 产品描述
不推荐新设计使用截至2012年1月06日

HGTG12N60C3D是一款MOS门控高压开关器件，它充分融合了MOSFET和双极晶体管的最佳功能。该器件具有MOSFET的高输入阻抗以及双极晶体管的低通态传导损耗。极低的通态压降仅在25°C到150°C之间适度变化。使用的IBGT为TA49123开发类型。与IGBT反平行的二极管的开发类型为TA49061。该IGBT非常适合许多工作频率中等，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用。以前的开发类型为TA49117。

HGTG12N60C3D - 产品特性
  • TC= 25°C时，24A、600V
  • 典型的下降时间................TJ=150°C时为210ns
  • 短路额定值
  • 低传导损耗
  • 超快反平行二极管
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • HGTG12N60C3D - 产品应用

    • 其他工业

    以下列出了HGTG12N60C3D相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    HGTG12N60C3D不推荐新设计使用截至2012年1月06日符合RoHS标准截至2006年2月27日
    下面可能是您感兴趣的仙童半导体公司分立式 IGBT元器件
    节约时间成本，提高采购效率，Fairchild官网授权代理
    Fairchild公司|Fairchild仙童半导体|ONSEMI安森美中国代理商
    Fairchild公司产品现货专家，订购仙童半导体公司产品不限最低起订量，ONSEMI安森美产品大陆现货即时发货，香港库存3-5天发货，海外库存7-10天发货
    寻找全球Fairchild代理商现货货源 - Fairchild公司（ONSEMI安森美）电子元件在线订购