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FDD4N60NZ - N 沟道 UniFET II MOSFET 600V, 3.4A, 2.5Ω
FDD4N60NZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDD4N60NZ是N 沟道 UniFET II MOSFET 600V, 3.4A, 2.5Ω，本站介绍了FDD4N60NZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDD4N60NZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDD4N60NZ - N 沟道 UniFET II MOSFET 600V, 3.4A, 2.5Ω - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDD4N60NZ - 产品描述
UniFETTMIIMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于平面条形技术和DMOS技术。该先进MOSFET系列产品在平面MOSFET产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部的栅源ESD二极管使UniFETIIMOSFET产品可承受超过2kV的HBM冲击应力。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX及灯用电子镇流器。
FDD4N60NZ - 产品特性
- RDS(on) = 1.9Ω （典型值）@ VGS = 10V, ID = 1.7A栅极电荷低（典型值：8.3nC)
- 低 Crss（典型值3.7pF）
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 提高了 dv/dt 性能
- 改进了 ESD 防护能力
- 符合 RoHS 标准
FDD4N60NZ - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDD4N60NZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDD4N60NZ | 量产-ROHS：截至2011年9月 | $0.5056 |
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