此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。

• 18 A，60 V
• RDS(ON) = 55 mΩ @ VGS = 10 V
• RDS(ON) = 64 mΩ @ VGS = 6 V
• 专门针对高频DC/DC转换器应用进行了优化。
• 低栅极电荷。
• 极快速开关。

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDD5612	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$1.22

• FDMA7628 - 20V单N沟道1.5V额定PowerTrench MOSFET
• FNA40860 - Motion SPM 45 系列
• QSE158 - 塑硅光电逻辑光电传感器
• FDD86540 - N沟道PowerTrench MOSFET(60V，50 A，4.1 mΩ)
• FDP55N06 - N 沟道 UniFET MOSFET 60 V、55 A、22 mΩ
• HUF75542P3 - 80 V、75 A、14 mΩ、N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET
• FSL156MRIN - 具有 OVP 和异常 OCP 功能的 650 V 集成电源开关，用于 30 W 离线反激式转换器
• HUF76609D3S - 100V、10A、165mΩ、N沟道逻辑电平UltraFET Power MOSFET
• FAN3225T_F085 - 双通道 4 A 高速，低端栅极驱动器
• FQP15P12 - P 沟道 QFET MOSFET -120 V、-15 A、0.2 Ω