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Fairchild产品 - FDD5614P介绍

FDD5614P - -60V P沟道PowerTrench MOSFET

FDD5614P是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDD5614P是-60V P沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDD5614P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDD5614P相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDD5614P - -60V P沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDD5614P - 产品描述

该60VP沟道MOSFET采用飞兆高压PowerTrench工艺制成。已针对电源管理应用进行了优化。

FDD5614P - 产品特性
  • 15 A, 60 V.
  • RDS(ON) = 100 mΩ （VGS = 10 V 时）
  • RDS(ON) = 130 mΩ （VGS = 4.5 V 时）
  • 快速开关速度
  • 高性能沟道技术可实现极低 RDS(ON)
  • 高功率和高电流处理能力
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDD5614P - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDD5614P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDD5614P量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.65
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