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FDD5614P技术文档下载：
FDD5614P - -60V P沟道PowerTrench MOSFET
FDD5614P是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDD5614P是-60V P沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDD5614P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDD5614P相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDD5614P - -60V P沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDD5614P - 产品描述
该60VP沟道MOSFET采用飞兆高压PowerTrench工艺制成。已针对电源管理应用进行了优化。
FDD5614P - 产品特性
- –15 A, –60 V.
- RDS(ON) = 100 mΩ （VGS = –10 V 时）
- RDS(ON) = 130 mΩ （VGS = –4.5 V 时）
- 快速开关速度
- 高性能沟道技术可实现极低 RDS(ON)
- 高功率和高电流处理能力
FDD5614P - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDD5614P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDD5614P | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.65 |
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