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FQP11P06 - P 沟道 QFET MOSFET -60 V、-11.4 A、175 mΩ
FQP11P06是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FQP11P06是P 沟道 QFET MOSFET -60 V、-11.4 A、175 mΩ，本站介绍了FQP11P06的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQP11P06相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQP11P06 - P 沟道 QFET MOSFET -60 V、-11.4 A、175 mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FQP11P06 - 产品描述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。这些器件非常适合低电压应用，例如车用、DC/DC转换器和用于便携式及电池供电产品功率管理的高效开关。
FQP11P06 - 产品特性
- -11.4 A、-60 V、RDS(on) = 175 mΩ（最大值）@ VGS = -10 V、ID = -5.7 A
- 低栅极电荷（典型值 13 nC)
- 低 Crss（典型值 45 pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 175℃ 最大结温额定值
FQP11P06 - 产品应用
以下列出了FQP11P06相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FQP11P06 | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.4756 |
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