此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。此类MOSFET同类似的RDS(ON)规格的MOSFET相比，拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。

• 30 A，60 V。 RDS(on) = 0.027 Ω @ VGS = 10 V.0.032 V。 RDS(on) = 0.60 Ω @ VGS = 6 V。
• 低栅极电荷（23nC，典型值）。
• 快速开关。
• 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)。

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDD5690	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$1.57

• FAN7621S - 适用于半桥谐振转换器的 PFM 控制器
• FDP032N08B - N 沟道 PowerTrench MOSFET 80 V、211 A、3.3 mΩ
• FDP7N60NZ - N 沟道 UniFET II MOSFET 600V, 6.5A, 1.25Ω
• SG6846G - 用于 65 KHz 反激式转换器的绿色模式 PWM 控制器，提供 2-级过流保护
• FAN3122C - CMOS 输入、单通道同相输出、11.4 A 峰值灌电流、10.6 A 源电流低端栅极驱动器
• FJV3105R - 带偏置电阻的 NPN 外延硅晶体管
• SGH10N60RUFD - 600V，10A，短路额定 IGBT
• FAN7710V - 整流器控制IC，用于紧凑型荧光灯管
• FDP050AN06A0 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 60V，80A，5mΩ
• 6N139M - 8引脚DIP单通道低输入电流高增益分离式达灵顿光电耦合器