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Fairchild产品 - FDD6612A介绍

FDD6612A - 30V N沟道PowerTrench MOSFET

FDD6612A是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDD6612A是30V N沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDD6612A的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDD6612A相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDD6612A - 30V N沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDD6612A - 产品描述

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。已针对低栅极点和低RDS(ON)、快速开关和超低RDS(ON)进行了优化，采用小型封装。

FDD6612A - 产品特性
  • 30 A，30 V。
  • RDS(on) = 20 mΩ @ VGS = 10 V
  • RDS(on) = 28 mΩ @ VGS = 4.5 V
  • 低栅极电荷（典型值9 nC）。
  • 快速开关
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDD6612A - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDD6612A相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDD6612A量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$1.15
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