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Fairchild产品 - FDD8424H介绍

FDD8424H - 40V双N & P沟道PowerTrench MOSFET

FDD8424H是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDD8424H是40V双N & P沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDD8424H的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDD8424H相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDD8424H - 40V双N & P沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDD8424H - 产品描述

这些双N沟道和P沟道增强模式功率MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。

FDD8424H - 产品特性
Q1： N沟道
  • 最大值 RDS(on) = 24mΩ（VGS = 10V, ID = 9.0A
    • ）
  • 最大值 RDS(on) = 30mΩ（VGS = 4.5V, ID = 7.0A
）Q2： P沟道
  • 最大值 RDS(on) = 54mΩ（VGS = 10V, ID = -6.5A
    • ）
  • 最大值 RDS(on) = 70mΩ（VGS = -4.5V, ID = -5.6A
    • ）
  • 快速开关速度
  • 符合AEC Q101
  • 符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDD8424H - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDD8424H相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDD8424H量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.458
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