这些双N沟道和P沟道增强模式功率MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。

Q1： N沟道

• 最大值 RDS(on) = 24mΩ（VGS = 10V, ID = 9.0A
）
• 最大值 RDS(on) = 30mΩ（VGS = 4.5V, ID = 7.0A

）Q2： P沟道

• 最大值 RDS(on) = 54mΩ（VGS = 10V, ID = -6.5A
）
• 最大值 RDS(on) = 70mΩ（VGS = -4.5V, ID = -5.6A
）
• 快速开关速度
• 符合AEC Q101
• 符合RoHS标准

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDD8424H	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$0.458

• FAN53540 - 2.4 MHz、5 A TinyBuck 同步降压稳压器
• 1N5241B - 11V、0.5W齐纳二极管
• FAN9673 - 交错式三通道 CCM PFC 控制器
• FAN3213T_F085 - 双通道 4 A 高速，低端栅极驱动器
• FFPF08S60ST - 8 A、600 V STEALTH II 代二极管
• FDB8443_F085 - 40 V、80 A、2.3 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench
• FDA28N50 - N 沟道 UniFET MOSFET 500V，28A，155mΩ
• FCD850N80Z - N 沟道 SuperFET II MOSFET
• FQPF9N50C - N 沟道 QFET MOSFET 500 V、9 A、800 mΩ
• FSBB20CH60C - Motion SPM 3 系列