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FDD850N10LD - BoostPak（N 沟道 PowerTrench MOSFET + 二级管） 100V, 15.3A, 75 mΩ
FDD850N10LD是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDD850N10LD是BoostPak（N 沟道 PowerTrench MOSFET + 二级管） 100V, 15.3A, 75 mΩ，本站介绍了FDD850N10LD的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDD850N10LD相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDD850N10LD - BoostPak（N 沟道 PowerTrench MOSFET + 二级管） 100V, 15.3A, 75 mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDD850N10LD - 产品描述
该N沟道MOSFET采用飞兆半导体的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。NP二极管为超快速整流器，具有低正向压降和出色的开关性能。
FDD850N10LD - 产品特性
- RDS(on) = 61 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 12 A
- RDS(on) = 64 mΩ（典型值）@ VGS = 5.0 V，ID = 12 A
- 低栅极电荷（典型值 22.2 nC）
- 低 Crss（典型值) 42 pF)
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 提高了 dv/dt 性能
- 符合 RoHS 标准
FDD850N10LD - 产品应用
以下列出了FDD850N10LD相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDD850N10LD | 量产-ROHS：截至2012年5月 | $0.4873 |
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