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FDFMA2N028Z - 20V Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
FDFMA2N028Z是Fairchild公司的一款MOSFET 集成肖特基器件产品，FDFMA2N028Z是20V Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode，本站介绍了FDFMA2N028Z的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDFMA2N028Z相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDFMA2N028Z - 20V Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode - MOSFET 集成肖特基器件 - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDFMA2N028Z - 产品描述
该器件特别设计为一个单封装解决方案，适用于手机和其他超便携应用的升压拓朴。它采用具有低通态电阻的MOSFET，以及一个独立连接的低正向电压肖特基二极管。
MicroFET2x2封装以其紧凑的尺寸提供了卓越的热性能，非常适用于开关和线性模式应用。
FDFMA2N028Z - 产品特性
- MOSFET
- 最大rDS(on) = 68mΩ at VGS = 4.5V, ID = 3.7A
- 最大 rDS(on) = 86mΩ at VGS = 2.5V, ID = 3.3A
- HBM静电放电保护等级为>2kV（注3）肖特基
- VF < 0.37V (500mA)
- 薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET2x2 mm封装
- 符合 RoHS 标准
FDFMA2N028Z - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDFMA2N028Z相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDFMA2N028Z | 量产-ROHS：截至2007年1月 | $0.26 |
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