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Fairchild产品 - FDFMA2P853介绍

FDFMA2P853 - -20V Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

FDFMA2P853是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET 集成肖特基器件产品，FDFMA2P853是-20V Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode，本站介绍了FDFMA2P853的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDFMA2P853相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDFMA2P853 - -20V Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode - MOSFET 集成肖特基器件 - FET - 仙童半导体

FDFMA2P853 - 产品描述

该器件专门设计为单封装解决方案，适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。该器件具有一个低导通阻抗的MOSFET和一个独立连接的低正向电压肖特基二极管，以最大限度地降低传导损耗。

MicroFET2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。

FDFMA2P853 - 产品特性
  • MOSFET：
  • -3.0 A，-20V。
  • RDS(ON) = 120 mΩ @ VGS = -4.5 V
  • RDS(ON) = 160 mΩ @ VGS = -2.5 V
  • RDS(ON) = 240 mΩ（VGS = -1.8 V时） 肖特基：VF < 0.46 V (500 mA)
  • 薄型 - 0.8mm最大值 - 采用新封装MicroFET 2x2 mm
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDFMA2P853 - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDFMA2P853相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDFMA2P853量产-ROHS：截至2006年8月$0.363
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