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FDFME2P823ZT - -20V Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
FDFME2P823ZT是Fairchild公司的一款MOSFET 集成肖特基器件产品，FDFME2P823ZT是-20V Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode，本站介绍了FDFME2P823ZT的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDFME2P823ZT相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDFME2P823ZT - -20V Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode - MOSFET 集成肖特基器件 - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDFME2P823ZT - 产品描述
该器件专门设计为单封装解决方案，适合蜂窝手机和其他超便携应用的电池充电开关。该器件具有一个低通态电阻的MOSFET和一个独立连接的低正向电压肖特基二极管，可最大限度地降低传导损耗。
MicroFET1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。
FDFME2P823ZT - 产品特性
- VGS = -4.5 V，ID = -2.3 A时，最大rDS(on) = 142 mO
- VGS = -2.5 V，ID = -1.8 A时，最大rDS(on) = 213mO
- 最大 rDS(on) = 331 mO VGS = -1.8 V, ID = -1.5 A
- VGS = -1.5 V，ID = -1.2 A时，最大rDS(on) = 530mO
- 薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
- 肖特基： VF < 0.57 V (1A)
- 不含有卤化合物和氧化锑
- HBM静电放电保护等级为>1600V（注3）
- 符合 RoHS 标准
FDFME2P823ZT - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDFME2P823ZT相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDFME2P823ZT | 量产-ROHS：截至2009年7月 | $0.247 |
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