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Fairchild产品 - FDFME2P823ZT介绍

FDFME2P823ZT - -20V Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

FDFME2P823ZT是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET 集成肖特基器件产品，FDFME2P823ZT是-20V Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode，本站介绍了FDFME2P823ZT的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDFME2P823ZT相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDFME2P823ZT - -20V Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode - MOSFET 集成肖特基器件 - FET - 仙童半导体

FDFME2P823ZT - 产品描述

该器件专门设计为单封装解决方案，适合蜂窝手机和其他超便携应用的电池充电开关。该器件具有一个低通态电阻的MOSFET和一个独立连接的低正向电压肖特基二极管，可最大限度地降低传导损耗。

MicroFET1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。

FDFME2P823ZT - 产品特性
  • VGS = -4.5 V，ID = -2.3 A时，最大rDS(on) = 142 mO
  • VGS = -2.5 V，ID = -1.8 A时，最大rDS(on) = 213mO
  • 最大 rDS(on) = 331 mO VGS = -1.8 V, ID = -1.5 A
  • VGS = -1.5 V，ID = -1.2 A时，最大rDS(on) = 530mO
  • 薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
  • 肖特基： VF < 0.57 V (1A)
  • 不含有卤化合物和氧化锑
  • HBM静电放电保护等级为>1600V（注3）
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDFME2P823ZT - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDFME2P823ZT相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDFME2P823ZT量产-ROHS：截至2009年7月$0.247
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