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Fairchild产品 - FDFME3N311ZT介绍

FDFME3N311ZT - 30V Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

FDFME3N311ZT是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET 集成肖特基器件产品，FDFME3N311ZT是30V Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode，本站介绍了FDFME3N311ZT的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDFME3N311ZT相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDFME3N311ZT - 30V Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode - MOSFET 集成肖特基器件 - FET - 仙童半导体

FDFME3N311ZT - 产品描述

该器件特别设计为一个单封装解决方案，适用于手机和其他超便携应用的升压拓朴。该器件具有一个带低输入电容、完整栅极电荷和通态电阻的MOSFET。以及一个独立连接的低正向电压和反向泄漏电流的肖特基二极管，可最大限度地提高效率。

MicroFET1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。

FDFME3N311ZT - 产品特性
  • VGS = 4.5 V，ID = 1.6 A时，最大rDS(on) = 299 mΩ
  • VGS= 2.5 V，ID = 1.3 A时，最大rDS(on) = 410 mΩ
  • 薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
  • 不含有卤化合物和氧化锑
  • HBM静电放电保护等级为>1600V（注3）
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDFME3N311ZT - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDFME3N311ZT相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDFME3N311ZT量产-ROHS：截至2008年12月$0.247
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