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FDFME3N311ZT - 30V Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
FDFME3N311ZT是Fairchild公司的一款MOSFET 集成肖特基器件产品，FDFME3N311ZT是30V Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode，本站介绍了FDFME3N311ZT的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDFME3N311ZT相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDFME3N311ZT - 30V Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode - MOSFET 集成肖特基器件 - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDFME3N311ZT - 产品描述
该器件特别设计为一个单封装解决方案，适用于手机和其他超便携应用的升压拓朴。该器件具有一个带低输入电容、完整栅极电荷和通态电阻的MOSFET。以及一个独立连接的低正向电压和反向泄漏电流的肖特基二极管，可最大限度地提高效率。
MicroFET1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。
FDFME3N311ZT - 产品特性
- VGS = 4.5 V，ID = 1.6 A时，最大rDS(on) = 299 mΩ
- VGS= 2.5 V，ID = 1.3 A时，最大rDS(on) = 410 mΩ
- 薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
- 不含有卤化合物和氧化锑
- HBM静电放电保护等级为>1600V（注3）
- 符合 RoHS 标准
FDFME3N311ZT - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDFME3N311ZT相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDFME3N311ZT | 量产-ROHS：截至2008年12月 | $0.247 |
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