FDFS6N548将飞兆的PowerTrenchMOSFET技术所带来的卓越性能与正向压降非常低的肖特基势垒整流器融合在SO-8封装中。

此器件专门设计为DC至DC转换器的单封装解决方案。它具有快速开关、低栅极电荷的MOSFET以及极低的通态电阻。独立连接的肖特基二极管允许其在大量DC/DC转换器拓扑下使用。

• VGS = 10V，ID = 7A时，最大rDS(on) = 23 mΩ
• VGS = 4.5V，ID = 0A时，最大rDS(on) = 30 mΩ
• VF < 0.45V (2A)
• VF < 0.28V (100mA)
• 肖特基和MOSFET整合入单个功率表面贴装SO-8封装
• 电气独立肖特基和MOSFET引脚输出提供设计的灵活性
• 低米勒电荷

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDFS6N548	量产-ROHS：截至2014年10月	$0.439

• FDFME3N311ZT - 30V Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
• FFPF04S60STU - 4 A、600 V STEALTH II 代二极管
• GBPC1508 - 15 A 桥式整流器
• FSV530AF - 肖特基势垒整流器
• FDS3672 - 分立车用N沟道UltraFET MOSFET，100V，7.5A，0.022 Ohms @ VGS = 10V，SO-8封装
• FXL4245 - 低压双电源8位信号转换器（带可配置电压电源和信号电平以及3态输出）
• MM3Z16VB - 16.0V 200mW 2%齐纳，SOD323F
• GBPC2501 - 25 A 桥式整流器
• GBU6J - 6 A 桥式整流器
• FDMS86104 - 100V N沟道PowerTrench MOSFET。