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FDG311N技术文档下载：
FDG311N - N沟道2.5V额定PowerTrench MOSFET
FDG311N是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDG311N是N沟道2.5V额定PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDG311N的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDG311N相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDG311N - N沟道2.5V额定PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDG311N - 产品描述
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。这些器件非常适合便携式电子产品应用。
FDG311N - 产品特性
- 1.9 A，20 V。 RDS(ON) = 0.115 Ω @ VGS = 4.5 V，RDS(ON) = 0.150 Ω @ VGS = 2.5 V。
- 低栅极电荷（典型值3nC）。
- 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)。
- 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。
FDG311N - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDG311N相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDG311N | 量产-ROHS：截至2010年12月 | $0.276 |
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