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Fairchild产品 - FDG311N介绍

FDG311N - N沟道2.5V额定PowerTrench MOSFET

FDG311N是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDG311N是N沟道2.5V额定PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDG311N的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDG311N相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDG311N - N沟道2.5V额定PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDG311N - 产品描述

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。这些器件非常适合便携式电子产品应用。

FDG311N - 产品特性
  • 1.9 A，20 V。 RDS(ON) = 0.115 Ω @ VGS = 4.5 V，RDS(ON) = 0.150 Ω @ VGS = 2.5 V。
  • 低栅极电荷（典型值3nC）。
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)。
  • 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDG311N - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDG311N相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDG311N量产-ROHS：截至2010年12月$0.276
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