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Fairchild产品 - FDG6318PZ介绍

FDG6318PZ - 双P沟道数字FET

FDG6318PZ是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDG6318PZ是双P沟道数字FET，本站介绍了FDG6318PZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDG6318PZ相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDG6318PZ - 双P沟道数字FET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDG6318PZ - 产品描述

这些双P沟道逻辑电平增强模式MOSFET采用飞兆半导体的先进工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。此类器件专为双极数字晶体管和小信号MOSFET而设计

FDG6318PZ - 产品特性
  • -0.5A，-20V
  • RDS(ON) = 780 mΩ @ VGS = -4.5V
  • RDS(ON) = 1200 mΩ @ VGS = -2.5V
  • 极低电平的栅极驱动要求允许直接在3V电路中运行(VGS(TH)< 1.5V)。
  • 栅-源齐纳二极管可增强耐静电放电能力（>1.4kV人体模型）。
  • 紧凑的工业标准SC-70-6表面贴装封装。
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDG6318PZ - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDG6318PZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDG6318PZ量产-ROHS：截至2010年12月$0.206
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