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FDG6318PZ - 双P沟道数字FET
FDG6318PZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDG6318PZ是双P沟道数字FET，本站介绍了FDG6318PZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDG6318PZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDG6318PZ - 双P沟道数字FET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDG6318PZ - 产品描述
这些双P沟道逻辑电平增强模式MOSFET采用飞兆半导体的先进工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。此类器件专为双极数字晶体管和小信号MOSFET而设计
FDG6318PZ - 产品特性
- -0.5A，-20V
- RDS(ON) = 780 mΩ @ VGS = -4.5V
- RDS(ON) = 1200 mΩ @ VGS = -2.5V
- 极低电平的栅极驱动要求允许直接在3V电路中运行(VGS(TH)< 1.5V)。
- 栅-源齐纳二极管可增强耐静电放电能力（>1.4kV人体模型）。
- 紧凑的工业标准SC-70-6表面贴装封装。
FDG6318PZ - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDG6318PZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDG6318PZ | 量产-ROHS：截至2010年12月 | $0.206 |
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