这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制和其他电池供电电路等低电压应用。

• 48A，60V。 RDS(ON) = 0.025Ω@ VGS=10V。
• 在高温下额定的临界DC电气参数。
• 耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
• 175°C最大结温额定值。
• 采用高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
• TO-220和TO-263 (D2PAK)封装，适用于通孔和表面贴装应用。

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
NDP6060	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$2.26

• MTP3055VL - 60V，单电源，TO-220，N沟道
• FQD13N10 - N 沟道 QFET MOSFET 100V，10A，180mΩ
• FCPF400N60 - N 沟道 SuperFET II MOSFET 600V, 10A, 400mΩ
• FAN5308 - High-efficiency step-down DC/DC converter
• FNA51560TD3 - Motion SPM 55 系列
• BAY73 - 高电导快速二极管
• FDMB2308PZ - -20V 双共用漏级 P 沟道 PowerTrench MOSFET
• FIN324C - 24位超低功耗串并并串转换器，支持单通道和双通道显示屏（*推荐新设计使用）
• FDPF20N50T - N 沟道 UniFET MOSFET 500V，20A，230 mΩ
• SS29 - 2.0A肖特基势垒整流器