这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制和其他电池供电电路等低电压应用。

• 48A，60V。 RDS(ON) = 0.025Ω@ VGS=10V。
• 在高温下额定的临界DC电气参数。
• 耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
• 175°C最大结温额定值。
• 采用高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
• TO-220和TO-263 (D2PAK)封装，适用于通孔和表面贴装应用。

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
NDP6060	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$2.26

• FQAF16N50 - N 沟道 QFET MOSFET 500V, 11.3A, 320mΩ
• USB1T1103 - Universal Serial Bus Peripheral Transceiver with Voltage Regulator
• FSB50325AS - Motion SPM 5 系列
• BC557 - PNP外延硅晶体管
• FAN3229C - CMOS 输入、双通道反相或同相输出、3 A 峰值灌电流、3 A 源电流低端栅极驱动器
• 1N916B - 小信号二极管
• FR015L3EZ - 低端反向偏置/反向极性保护器
• FSL138MRT - 具有异常 OCP 功能的 800 V 集成电源开关，用于 35 W 离线反激式转换器
• FQI50N06 - N 沟道 QFET MOSFET 60V，50A，22mΩ
• FDMF3035 - 智能功率级（SPS）模块