FSB50325A/AT/AS是一款先进的MotionSPM5模块，为交流感应、无刷直流电机和PMSM电机提供全功能、高性能变频输出级。这些模块综合优化了内置MOSFET（FRFET技术）的栅极驱动以最小化电磁干扰和能量损耗，同时也提供多重模组保护特性，包括欠压闭锁和热量监测。内置高速HVIC仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平栅极输入信号转换为高电压、高电流驱动信号，从而有效驱动模块的内部MOSFET。独立开源MOSFET引脚适用于各相位，以支持最广泛的控制算法。

• UL 认证号 E209204 (UL1557)
• 250 V RDS(on) = 1.7 Ω（最大值）FRFET MOSFET 三相逆变器，带有栅极驱动器和保护功能
• 内置自举二极管能够简化 PCB 布局
• 低侧 MOSFET 的独立开源引脚用于三相电流感测
• 高电平有效接口，适用于 3.3 / 5 V 逻辑、施密特触发脉冲输入
• 针对低电磁干扰进行优化
• HVIC 内嵌温度感测功能，用于监控温度
• HVIC 可实现栅极驱动和欠压保护
• 绝缘等级： 1500 Vrms/分
• 符合 RoHS 标准
• 湿度敏感等级 (MSL) 3 - FSB50325AS

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FSB50325AS	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$4.53

• MMBT2369 - NPN开关晶体管
• FMB3946 - NPN和PNP通用放大器
• 74VHC157 - 四通道2输入复用器
• FT7521 - 带固定延迟和复位脉冲的复位定时器
• MMBFJ175 - P沟道开关
• FGH15T120SMD - 1200 V、15 A、场截止沟道 IGBT
• NDP6060L - 60V N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
• FCP36N60N - N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 36A, 90mΩ
• FDMS3626S - 25V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench功率级
• FDP55N06 - N 沟道 UniFET MOSFET 60 V、55 A、22 mΩ