这些双N沟道和P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度、DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。由于不需要偏压电阻，该双通道数字FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管。

Q1： N沟道

• 最大值 RDS(on) = 0.4O（VGS = 4.5V，ID = 0.75A
）
• 最大值 RDS(on) = 0.5O（VGS = 2.7V，ID = 0.67A

）Q2： P沟道

• 最大值 RDS(on) = 1.1O（VGS = 4.5V，ID = 0.41A
）
• 最大值 RDS(on) = 1.5O（VGS = -2.7V，ID = -0.25A
）
• 电平栅极驱动要求极低，从而可在3V电路中直接运行(VGS(th)<1.5 V)
• 非常小的封装尺寸SC70-6
• 符合RoHS标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDG8842CZ	量产-ROHS：截至2010年12月	$0.218

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