UniFETTMMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于平面条形和DMOS技术。该MOSFET产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFETFRFETMOSFET体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。其trr小于100nsec且反向dv/dt抗扰度为15V/nsec，而一般的平面MOSFET产品分别为200nsec以上和4.5V/nsec。因此，它在MOSFET体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX及灯用电子镇流器。

• RDS(on) = 120mΩ （最大值）@ VGS = 10V, ID = 22.5A
• 低栅极电荷（典型值 105nC）
• 低 Crss（典型值 62pF）
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高了 dv/dt 处理能力

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDH45N50F_F133	量产-ROHS：截至2013年8月	$4.86

• FSAV430 - 低电压1.1GHz四通道2:1视频开关
• ISL9V3040S_F085 - 400 V、17 A、1.58 V、300 mJ、D2PAKEcoSPARK I、N 沟道点火 IGBT
• KSD1616A - NPN 外延硅晶体管
• MM5Z51V - 齐纳二极管
• FDB045AN08_F085 - 75 V、80 A、3.9 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench
• FDA16N50LDTU - N 沟道 UniFET MOSFET
• HGTP10N120BN - 1200 V NPT IGBT
• FDMS3624S - 25V PowerTrench 功率级
• MM3Z11VC - 11.0V 200mW 5%齐纳管，SOD323F
• FNB51060TD1 - Motion SPM 55 系列