该器件专门设计为单封装解决方案，适合蜂窝手机和其他超便携应用的电池充电开关。该器件具有两个带低导通电阻的独立P沟道MOSFET，以最大限度地降低导通损耗。当连接为典型共源配置时，可以实现双向电流流动。MicroFET2X2封装因其外形尺寸而具有卓越的热性能，非常适合线性模式应用。

• 最大 rDS(on) = 72 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 3.7 A 时）
• 最大 rDS(on) = 95 mΩ（VGS = 2.5 V、ID = 3.2 A 时）
• 最大 rDS(on) = 130 mΩ（VGS = 1.8 V、ID = 2.0 A 时）
• 最大 rDS(on) = 195 mΩ（VGS = 1.5 V、ID = 1.0 A 时）
• 薄型 最大 0.8 mm 采用新型 MicroFET 2x2 mm 封装
• HBM ESD 保护等级>2 kV 典型值
• 符合 RoHS 标准
• 无任何卤代化合物和锑氧化物

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMA1023PZ	量产-ROHS：截至2006年8月	$0.28

• FSBS3CH60 - Motion SPM 3 系列
• SB1100 - 肖特基二极管
• FDMS7570S - 25V N沟道PowerTrench SyncFET
• FSV530AF - 肖特基势垒整流器
• FJN4309R - 带偏置电阻的 PNP 外延硅晶体管
• FGB20N60S_F085 - 600 V、20 A、2.2 V、D2PAK场截止 IGBT
• BAV23S - 高电压通用二极管
• SMBJ12A - 600W瞬态电压抑制二极管
• MMBZ5254B - 27V 350mW 5%齐纳
• FDPF8N60ZUT - N 沟道 UniFET Ultra FRFET MOSFET 600V, 6.5A, 1.35Ω