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Fairchild产品 - FDMC510P介绍
FDMC510P - -20V P沟道PowerTrench MOSFET

FDMC510P是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDMC510P是-20V P沟道PowerTrench MOSFET,本站介绍了FDMC510P的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDMC510P相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

FDMC510P - -20V P沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)

FDMC510P - 产品描述

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺已针对rDS(on)、开关性能和稳固性进行了优化。

FDMC510P - 产品特性
  • 最大值 RDS(on) = 8.0 mΩ(VGS = -4.5 V, ID = -12 A)
  • 最大值 RDS(on) = 9.8 mΩ(VGS = -2.5 V, ID = -10 A)
  • 最大值 RDS(on) = 13 mΩ(VGS = -1.8 V, ID = -9.3 A)
  • 最大值 RDS(on) = 17 mΩ(VGS = -1.5 V, ID = -8.3 A)
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
  • 高功率和高电流处理能力,采用广泛使用的表面贴装封装
  • 100%经过UIL测试
  • 终端无引线且符合RoHS标准
  • HBM ESD能力等级> 2KV典型值
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供,了解更多介绍请在本站下载技术文档
  • FDMC510P - 产品应用

    该产品为通用产品,适用于很多不同应用。

    以下列出了FDMC510P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMC510P量产-ROHS:截至2010年5月$0.61
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