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Fairchild产品 - FDMC510P介绍

FDMC510P - -20V P沟道PowerTrench MOSFET

FDMC510P是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDMC510P是-20V P沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMC510P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC510P相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDMC510P - -20V P沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDMC510P - 产品描述

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺已针对rDS(on)、开关性能和稳固性进行了优化。

FDMC510P - 产品特性
  • 最大值 RDS(on) = 8.0 mΩ（VGS = -4.5 V, ID = -12 A）
  • 最大值 RDS(on) = 9.8 mΩ（VGS = -2.5 V, ID = -10 A）
  • 最大值 RDS(on) = 13 mΩ（VGS = -1.8 V, ID = -9.3 A）
  • 最大值 RDS(on) = 17 mΩ（VGS = -1.5 V, ID = -8.3 A）
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
  • 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
  • 100%经过UIL测试
  • 终端无引线且符合RoHS标准
  • HBM ESD能力等级> 2KV典型值
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMC510P - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDMC510P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMC510P量产-ROHS：截至2010年5月$0.61
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