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Fairchild产品 - FDMC610P介绍
FDMC610P - 12V P 沟道 PowerTrench MOSFET

FDMC610P是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDMC610P是12V P 沟道 PowerTrench MOSFET,本站介绍了FDMC610P的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDMC610P相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

FDMC610P - 12V P 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)

FDMC610P - 产品描述

此P沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器,专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

FDMC610P - 产品特性
  • 最大值 rDS(on) = 3.9 mΩ(VGS = -4.5 V, ID = -22 A
  • 最大值 rDS(on) = 6.4 mΩ(VGS = -2.5 V, ID = -16 A
  • 一流的开关性能
  • 更低的输出电容、栅极电阻和栅极电荷升压效率
  • 屏蔽栅极技术降低了开关节点振铃,提高了抗EMI和交叉导通的能力
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供,了解更多介绍请在本站下载技术文档
  • FDMC610P - 产品应用
    以下列出了FDMC610P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMC610P量产-ROHS:截至2013年6月$0.87
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