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FDMC610P - 12V P 沟道 PowerTrench MOSFET
FDMC610P是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品,FDMC610P是12V P 沟道 PowerTrench MOSFET,本站介绍了FDMC610P的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDMC610P相关的Fairchild元器件型号供参考。
FDMC610P - 12V P 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体
FDMC610P - 产品描述
此P沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器,专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。
FDMC610P - 产品特性
- 最大值 rDS(on) = 3.9 mΩ(VGS = -4.5 V, ID = -22 A )
- 最大值 rDS(on) = 6.4 mΩ(VGS = -2.5 V, ID = -16 A )
- 一流的开关性能
- 更低的输出电容、栅极电阻和栅极电荷升压效率
- 屏蔽栅极技术降低了开关节点振铃,提高了抗EMI和交叉导通的能力
- 符合 RoHS 标准
FDMC610P - 产品应用
以下列出了FDMC610P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDMC610P | 量产-ROHS:截至2013年6月 | $0.87 |
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