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Fairchild产品 - FDMC8200介绍

FDMC8200 - 30V 双N沟道PowerTrench MOSFET

FDMC8200是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDMC8200是30V 双N沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMC8200的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC8200相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDMC8200 - 30V 双N沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDMC8200 - 产品描述

该器件包括两个专用N沟道MOSFET，采用双Power33(3mmx3mmMLP)封装。该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(Q2)设计用于提供最佳电源效率。

FDMC8200 - 产品特性
Q1： N沟道
  • 最大值 RDS(on) = 20 mΩ（VGS = 10 V, ID = 6 A
    • ）
  • 最大值 RDS(on) = 32mΩ（VGS = 4.5V, ID = 5A
）Q2： N沟道
  • 最大值 RDS(on) = 9.5 mΩ（VGS = 10 V, ID = 9 A
    • ）
  • 最大值 RDS(on) = 13.5mΩ（VGS = 4.5V, ID = 7A
    • ）
  • 符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMC8200 - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDMC8200相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMC8200量产-ROHS：截至2009年6月$0.464
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