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FDMC8200技术文档下载：
FDMC8200 - 30V 双N沟道PowerTrench MOSFET
FDMC8200是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMC8200是30V 双N沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMC8200的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC8200相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMC8200 - 30V 双N沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMC8200 - 产品描述
该器件包括两个专用N沟道MOSFET，采用双Power33(3mmx3mmMLP)封装。该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(Q2)设计用于提供最佳电源效率。
FDMC8200 - 产品特性
Q1： N沟道 - 最大值 RDS(on) = 20 mΩ（VGS = 10 V, ID = 6 A ）
- 最大值 RDS(on) = 32mΩ（VGS = 4.5V, ID = 5A
- 最大值 RDS(on) = 9.5 mΩ（VGS = 10 V, ID = 9 A ）
- 最大值 RDS(on) = 13.5mΩ（VGS = 4.5V, ID = 7A ）
- 符合RoHS标准
FDMC8200 - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDMC8200相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDMC8200 | 量产-ROHS：截至2009年6月 | $0.464 |
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