这一N沟道逻辑电平MOSFET器件采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。为提高ESD电压，增加了G-S齐纳管。

• 在VGS = 10 V且ID = 3.3 A时，最大RDS(on)
= 103 mΩ
• 在VGS = 4.5 V且ID = 2.7 A时，最大RDS(on)
= 153 mΩ
• HBM ESD保护等级>3 KV典型值
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准

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• 消费电子

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMC86116LZ	量产-ROHS：截至2011年12月	$0.36

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