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FDMC86160技术文档下载：
FDMC86160 - 100V N沟道Power Trench MOSFET
FDMC86160是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMC86160是100V N沟道Power Trench MOSFET，本站介绍了FDMC86160的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC86160相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMC86160 - 100V N沟道Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMC86160 - 产品描述
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体公司先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻而定制的。此器件非常适合需要在小空间内实现低RDS(on)的应用，例如高性能VRM、POL和Oring功能。
FDMC86160 - 产品特性
- 栅极屏蔽 MOSFET 技术
- VGS = 10V，ID = 9 A时，最大rDS(on) = 14mΩ
- 最大 rDS(on) = 23 mΩ（VGS = 6 V、ID = 7 A）
- 通态电阻 rDS(on)极低的高性能技术
- 终端是符合 RoHS 标准的无铅产品
FDMC86160 - 产品应用
- DC-DC商用电源
以下列出了FDMC86160相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDMC86160 | 量产-ROHS：截至2012年1月 | $0.798 |
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