此P沟道MOSFET采用Fairchild先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。

• 最大 rDS(on) = 22 mΩ（需 VGS = -10 V、ID = -7.9 A
）
• 最大 rDS(on) = 30 mΩ（需 VGS = -6 V、ID = -5.9 A
）
• 中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低，非常适用于 Qg 较低的情况
• 本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

• 移动通信基础设施

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMS86163P	量产-ROHS：截至2014年3月	$0.943

• FDG6323L - 集成式负载开关
• FQP4N90C - N 沟道 QFET MOSFET 900V, 4A, 4.2Ω
• FT7521 - 带固定延迟和复位脉冲的复位定时器
• FGP3440G2_F085 - 400 V、25 A、1.30 V、335 mJ、TO-220EcoSPARK II、N 沟道点火 IGBT
• FDP150N10 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 100V, 57A, 15mΩ
• FDMC8554 - 20V N 沟道 Power Trench MOSFET
• FDP045N10A - N 沟道 PowerTrench MOSFET 100V, 164A, 4.5mΩ
• FGH60N60UF_F085 - 600 V、60 A、1.8 V、TO-247场截止 IGBT
• FCPF400N80Z - N 沟道 SuperFET II MOSFET
• UF4003 - 1.0A快速恢复整流器