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Fairchild产品 - FDMC86261P介绍

FDMC86261P - -150V P沟道屏蔽栅极PowerTrench MOSFET

FDMC86261P是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDMC86261P是-150V P沟道屏蔽栅极PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMC86261P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC86261P相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDMC86261P - -150V P沟道屏蔽栅极PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDMC86261P - 产品描述

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。

FDMC86261P - 产品特性
  • 最大 rDS(on) = 160 mΩ（VGS = -10 V、ID = -2.4 A 时）
  • 最大 rDS(on) = 185 mΩ（VGS = -6 V、ID = -2.2 A 时）
  • 中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低，非常适用于 Qg 较低的情况
  • 本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMC86261P - 产品应用
    以下列出了FDMC86261P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMC86261P量产-ROHS：截至2012年3月$0.797
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