此P沟道MOSFET器件采用Fairchild先进的PowerTrench工艺生产，工艺经过优化，可实现最低通态电阻，同时仍保持卓越的开关性能。

• 最大 rDS(on) = 1.2 Ω（需 VGS = -10 V、ID = -1 A
）
• 最大 rDS(on) = 1.4 Ω（需 VGS = -6 V、ID = -0.9 A
）
• 中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低，非常适用于 Qg 较低的情况
• 本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMC86265P	量产-ROHS：截至2013年12月	$0.334

• FQB5N50C - N 沟道 QFET MOSFET 500V，5A，1.4Ω
• KA78L05A - 三端0.1A正压稳压器
• FDMC86260 - 150V N-Channel Power Trench MOSFET
• NDS351N - N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
• FGA50T65SHD - 650 V, 50 A 场截止沟道 IGBT
• FQU2N90 - N 沟道 QFET MOSFET 900V，1.7A，7.2Ω
• MMBTA28 - NPN达林顿晶体管
• FSEZ1016A - 带有集成式 MOSFET 的初级端调节 PWM 控制器
• FDMS8023S - 30V N沟道PowerTrench SyncFET
• FDB86135 - 100V N沟道PowerTrench MOSFET。