这些N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管采用Fairchild专有的高单元密度、DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。此类器件特别适合笔记本电脑、便携电话、PCMCIA卡等低电压应用及其他需要采用极小封装外形表面贴装封装、具有快速开关和低线内功率损耗的电池供电电路。

• 1.1 A，30 V。 RDS(ON) = 0.25Ω @ VGS= 4.5 V。
• 专有封装设计使用铜引线框架，可提供出色的热和电气能力。
• 通态电阻RDS(ON)极低的高密度单元设计。
• 出色的导通阻抗和最大的DC电流能力。
• 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
NDS351N	量产-ROHS：截至2011年12月	$0.122

• FQB47P06 - P 沟道 QFET MOSFET -60V，-47A，26mΩ
• RFD16N06LESM - 60V、16A、47mΩ、N沟道逻辑电平Power MOSFET
• SMCJ100A - 1500W瞬态电压抑制二极管
• FDZ8040L - 集成式负载开关
• FQD2N100 - N 沟道 QFET MOSFET 1000 V、1.6 A、9 Ω
• P6KE33CA - 600W瞬态电压抑制二极管
• MM3Z43VB - 43.0V 200mW 2%齐纳管，SOD323F
• FDC602P - P沟道2.5V额定PowerTrench MOSFET
• LM319 - Dual Comparator
• FJMA790 - PNP外延硅晶体管