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Fairchild产品 - FDMC86570LET60介绍

FDMC86570LET60 - N 沟道 Shielded Gate PowerTrench MOSFET

FDMC86570LET60是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDMC86570LET60是N 沟道 Shielded Gate PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMC86570LET60的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC86570LET60相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDMC86570LET60 - N 沟道 Shielded Gate PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDMC86570LET60 - 产品描述

N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。

FDMC86570LET60 - 产品特性
  • 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  • 最大值 rDS(on) = 4.3 mΩ（VGS = 10 V、ID = 18 A
    • ）
  • 最大值 rDS(on) = 6.5 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 15 A
    • ）
  • 高性能技术可实现极低的 rDS(on)
  • 终端为无铅产品
  • 符合 RoHS 标准"
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMC86570LET60 - 产品应用

    • DC-DC商用电源

    以下列出了FDMC86570LET60相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMC86570LET60量产-ROHS：截至2014年11月$0.8265
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