FDC3601N | Fairchild仙童半导体

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FDC3601N供应商

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FDC3601N

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：场效应管阵列，6-SSOT

技术参数：MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6

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参数详情：

制造商产品型号：FDC3601N

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

描述：MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6

系列：PowerTrench

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：500 毫欧 @ 1A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：153pF @ 50V

功率 - 最大值：700mW

安装类型：表面贴装

产品封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装：6-SSOT

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