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FDMD84100技术文档下载：
FDMD84100 - 100V双N沟道PowerTrench MOSFET
FDMD84100是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMD84100是100V双N沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMD84100的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMD84100相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMD84100 - 100V双N沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMD84100 - 产品描述
该封装内集成两个N-沟道，相互内部连接，组成共源结构。如此极大地减少了封装的寄生效应，优化了到底部共源焊盘的传热路径。从而以极小的尺寸(3.3x5mm)实现了较高的功率密度
FDMD84100 - 产品特性
- 最大值 rDS(on) = 20 mΩ（需 VGS = 10 V，ID = 7 A）
- 最大 rDS(on) = 32 mΩ (VGS = 6 V, ID = 5.5 A)
- 满足二次侧同步整流灵活布局的需要
- 终端无引线且符合 RoHS 标准
- 100% 经过 UIL 测试
FDMD84100 - 产品应用
以下列出了FDMD84100相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDMD84100 | 量产-ROHS：截至2013年7月 | $1.45 |
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