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Fairchild产品 - FDT3612介绍

FDT3612 - 100V N沟道PowerTrench MOSFET。

FDT3612是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDT3612是100V N沟道PowerTrench MOSFET。，本站介绍了FDT3612的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDT3612相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDT3612 - 100V N沟道PowerTrench MOSFET。 - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDT3612 - 产品描述

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。

FDT3612 - 产品特性
  • 3.7 A, 100 V
  • RDS(on) = 120 mΩ@ VGS = 10 V
  • RDS(on) = 130 mΩ @ VGS = 6 V
  • 快速开关速度
  • 低栅极电荷（14nC典型值）
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
  • 采用广泛使用的表面贴装封装，具有高功率和高电流处理能力
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDT3612 - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDT3612相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDT3612量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.58
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