该封装集成两个在共源配置中内部连接的N沟道器件，并采用栅极屏蔽技术。如此极大地减少了封装的寄生效应，优化了到底部共源焊盘的传热路径。以极小的尺寸(5x6mm)实现较高的功率密度。

• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 rDS(on) = 10.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 10 A
）
• 最大值 rDS(on) = 17.3 mΩ（VGS = 6 V、ID = 7.8 A
）
• 满足二次侧同步整流灵活布局的需要
• 终端无引线且符合 RoHS 标准
• 100% 经过 UIL 测试

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMD86100	量产-ROHS：截至2014年9月	$1.4746

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