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Fairchild产品 - FDMD86100介绍

FDMD86100 - 双 N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench MOSFET

FDMD86100是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDMD86100是双 N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMD86100的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMD86100相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDMD86100 - 双 N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDMD86100 - 产品描述

该封装集成两个在共源配置中内部连接的N沟道器件，并采用栅极屏蔽技术。如此极大地减少了封装的寄生效应，优化了到底部共源焊盘的传热路径。以极小的尺寸(5x6mm)实现较高的功率密度。

FDMD86100 - 产品特性
  • 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  • 最大值 rDS(on) = 10.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 10 A
    • ）
  • 最大值 rDS(on) = 17.3 mΩ（VGS = 6 V、ID = 7.8 A
    • ）
  • 满足二次侧同步整流灵活布局的需要
  • 终端无引线且符合 RoHS 标准
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMD86100 - 产品应用
    以下列出了FDMD86100相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMD86100量产-ROHS：截至2014年9月$1.4746
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