该器件专门设计为单封装解决方案，符合蜂窝手机和其他超便携应用的双通道开关要求。该器件具有两个带低通态电阻的独立N沟道MOSFET，可最大限度地降低传导损耗。MicroFET1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。

• VGS = 4.5 V，ID = 3.4 A时，Max rDS(on) = 66 mΩ
• VGS = 2.5 V，ID = 2.9 A时，Max rDS(on) = 86 mΩ
• VGS = 1.8 V，ID = 2.5 A时，Max rDS(on) = 113 mΩ
• VGS = 1.5 V，ID = 2.1 A时，Max rDS(on) = 160 mΩ
• 薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
• 不含有卤化合物和氧化锑
• HBM ESD保护等级>1,600V（注3）<强></强>
• 符合RoHS标准

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDME1024NZT	量产-ROHS：截至2009年7月	$0.247

• FDS5690 - N沟道PowerTrench MOSFET
• HCPL2531M - 高速晶体管光电耦合器
• FAN6100M - 次级端恒压恒流控制器，与 MediATek Pump Express Plus 兼容
• FDSS2407 - 60 V、3.3 A、99 mΩ、SO-8、逻辑电平双通道 N 沟道 PowerTrench
• FNB41560B2 - Motion SPM 45 系列
• FSDM1265RB - 用于 90 W 离线反激式转换器的 650 V 集成电源开关
• FMS6410B - 双通道视频驱动器，带集成滤波器和复合视频加法器
• FCB20N60 - N 沟道 SuperFET MOSFET 600V, 20A, 190mΩ
• FCPF22N60NT - N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 22A, 165mΩ
• FCD900N60Z - N 沟道 SuperFETII MOSFET 600 V、4.5 A、900 mΩ