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Fairchild产品 - FDME1024NZT介绍

FDME1024NZT - 20V双N沟道Power Trench MOSFET

FDME1024NZT是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDME1024NZT是20V双N沟道Power Trench MOSFET，本站介绍了FDME1024NZT的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDME1024NZT相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDME1024NZT - 20V双N沟道Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDME1024NZT - 产品描述

该器件专门设计为单封装解决方案，符合蜂窝手机和其他超便携应用的双通道开关要求。该器件具有两个带低通态电阻的独立N沟道MOSFET，可最大限度地降低传导损耗。MicroFET1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。

FDME1024NZT - 产品特性
  • VGS = 4.5 V，ID = 3.4 A时，Max rDS(on) = 66 mΩ
  • VGS = 2.5 V，ID = 2.9 A时，Max rDS(on) = 86 mΩ
  • VGS = 1.8 V，ID = 2.5 A时，Max rDS(on) = 113 mΩ
  • VGS = 1.5 V，ID = 2.1 A时，Max rDS(on) = 160 mΩ
  • 薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
  • 不含有卤化合物和氧化锑
  • HBM ESD保护等级>1,600V（注3）<强></强>
  • 符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDME1024NZT - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDME1024NZT相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDME1024NZT量产-ROHS：截至2009年7月$0.247
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