SPS系列是Fairchild的下一代、完全优化的、超级紧凑的集成MOSFET及同步降压直流应用。FDMF5820TDC将一个带有自举肖特基二级管的驱动器IC、两个功率MOSFET和一个热监控器集成至热增强的超小型5mmx5mm封装内。

通过集成的方法对SPS开关功率级进行了优化，以实现驱动器和MOSFET的动态性能、最小化系统电感和功率MOSFETRDS(ON)。SPS系列采用Fairchild的高性能PowerTrenchMOSFET技术，可以减少开关振铃，省去大多数降压转换器应用中使用的缓冲器电路。

驱动器IC通过减少死区时间和传播延迟，可进一步提高性能。热警告功能会发出潜在过温情况的警告。FDMF5820TDC还为提高轻载效率整合了自动DCM模式(ZCD#)。FDMF5820TDC还提供了3态3.3VPWM输入，可实现与广泛的PWM控制器的兼容性。

• 超小型 5 mm x 5 mm PQFN Copper-Clip 封装，内装 Flip Chip 低端 MOSFET 和 Dual Cool 架构
• 高电流处理能力： 60 A
• 三态 3.3 V PWM 输入栅极驱动器
• 低侧驱动 (LDRV) 的动态电阻模式可在负电感电流期间减慢低侧 MOSFET 开关
• 自动 DCM（低侧栅极关断）使用ZCD# 输入
• 热警告功能 (THWN#)，对栅极驱动器 IC 过温情况发出警告
• 高侧短路故障 # 检测/关断
• 双通道模式使能/故障#引脚
• ZCD# 输入和EN 输入各自的内部上拉和下拉
• Fairchild PowerTrench MOSFET，可提供干净的电压波形并降低振铃噪声
• 低侧 MOSFET 中的飞兆 SyncFET 技术（集成肖特基二极管）
• 集成式自举肖特基二极管
• 优化的/ 极短的死区时间
• VCC 欠压锁定 (UVLO)
• 为实现开关频率达到 1.5MHz 而优化
• PWM 最低可控导通时间： 30 ns
• 低关断电流： < 3 μA
• 优化的 FET 对以实现最高效率： 10 ~ 15% 占空比
• 工作结温范围： -40°C 至 +125°C
• 飞兆绿色封装并符合 RoHS 标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMF5820TDC	量产-ROHS：截至2015年7月	$1.89

• FSL336LR - 包含误差放大器但不包含偏置绕组的 650 V 集成电源开关，用于 9 W 离线降压转换器
• FDD2670 - 200V N沟道PowerTrench MOSFET
• FQP30N06 - N 沟道 QFET MOSFET 600V，30A，40mΩ
• 1N5406 - 3.0A通用整流器
• FDD050N03B - N 沟道 PowerTrench MOSFET 30V, 90A, 5.0mΩ
• LL4148 - 小信号二极管
• FDS2572 - 150 V N 沟道 UltraFET Trench MOSFET
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• QSE114 - 塑料硅红外光电晶体管
• ML4824-1 - CCM PFC + PWM 组合控制器