XSDrMOS系列是飞兆新一代经全面优化的超紧凑型集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案，适用于高电流、高频同步降压DC-DC应用。FDMF6821B将驱动器IC、两个功率MOSFET和自举肖特基二极管集成到了一个热增强的、超小型6x6毫米封装中。

通过集成方法，可实现完整开关功率级的驱动器、MOSFET动态性能、系统电感和功率MOSFETRDS(ON)优化。XSDrMOS采用飞兆的高性能PowerTrenchMOSFET技术，显著地降低了开关振铃噪声，从而无需在大部分降压转换器应用中使用缓冲电路。

驱动器IC通过减少死区时间和传播延迟，可进一步提高性能。热警告功能会发出潜在过温情况的警告。FDMF6821B还为提高轻负载效率整合了跳跃模式(SMOD#)。FDMF6820B还提供了3态3.3VPWM输入，可实现与广泛的PWM控制器的兼容性。

• 高于 93% 的峰值效率
• 高电流处理能力： 55 A
• 高性能 PQFN 铜片封装
• 三态 3.3V PWM 输入驱动器
• 跳频模式 SMOD#（低侧门关断）输入
• 为过温情况提供热警告标志
• 驱动器输出禁用功能（DISB# 引脚）
• SMOD# 输入和 DISB# 输入各自的内部上拉和下拉
• 飞兆 PowerTrench 技术 MOSFET，可提供干净的电压波形并降低振铃噪声
• 低端 MOSFET 中的飞兆 SyncFET（集成肖特基二极管）技术
• 集成式自举肖特基二极管
• 实现直通保护的自适应栅极驱动时序
• 欠压锁定(UVLO)
• 为实现开关频率达到 1MHz 而优化
• 薄型 SMD 封装。
• 飞兆绿色封装并符合 RoHS 标准
• 基于 Intel 4.0 DrMOS 标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMF6821B	量产-ROHS：截至2012年10月	$1.86

• BD439 - NPN外延硅晶体管
• BAT54CWT1G - 肖特基势垒二极管
• FDP26N40 - N 沟道 UniFET MOSFET 400V，26A，160mΩ
• S1MFP - 1.2 A、1000 V 表面贴装整流器
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• FDMS3686S - 30 V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench功率级
• FDME510PZT - -20V P沟道PowerTrench MOSFET
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• 74LCX543 - 低压八路注册收发器（5V容差输入和输出）