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FDME510PZT技术文档下载：
FDME510PZT - -20V P沟道PowerTrench MOSFET
FDME510PZT是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDME510PZT是-20V P沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDME510PZT的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDME510PZT相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDME510PZT - -20V P沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDME510PZT - 产品描述
该器件是专为蜂窝手机和其他超便携式应用中的电池充电或负载开关应用而设计的。它具有带低通态电阻的MOSFET。MicroFET1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。
FDME510PZT - 产品特性
- VGS = -4.5 V，ID = -5 A时，rDS(on) = 37 mΩ（最大值）
- VGS = -2.5 V，ID = -4 A时，最大rDS(on) = 50mΩ
- VGS = -1.8 V，ID = -3 A时，最大rDS(on) = 65mΩ
- VGS = -1.5 V，ID = -2 A时，最大rDS(on) = 100mΩ
- 薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
- 不含有卤化合物和氧化锑
- HBM静电放电保护等级为>1600V（注3）
- 符合RoHS标准
FDME510PZT - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDME510PZT相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDME510PZT | 量产-ROHS：截至2009年9月 | $0.247 |
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