该N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。已针对低栅极电荷和极低rDS(on)进行了优化。

• TJ额定值扩展：175°C
• 最大值 rDS(on) = 0.65 mΩ（VGS = 10 V，ID = 55 A
）
• 最大值 rDS(on) = 0.9 mΩ（VGS = 4.5 V，ID = 47 A
）
• 低 rDS(on) 和高效
的先进硅封装
• MSL1 耐用封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准

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具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMS8050ET30	量产-ROHS：截至2014年11月	$1.4459

• RURG80100_F085 - 80 A、1000 V 超快速整流器
• FAN3100T - TTL 输入、单通道反相或同相输出、3 A 峰值灌电流、3 A 源电流低端栅极驱动器
• FAN6862HR - 用于 100 KHz 反激式转换器的 6 引脚绿色模式 PWM 控制器
• HUF76407DK_F085 - 60 V、3.8 A、75 mΩ、SO-8、逻辑电平双 N 沟道 UltraFET
• S210 - 2.0A肖特基势垒整流器
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• LM7908 - 三端 1 A 负压稳压器