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    Fairchild产品 - FDMS8050ET30介绍
    FDMS8050ET30 - N 沟道 PowerTrench MOSFET

    FDMS8050ET30是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMS8050ET30是N 沟道 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMS8050ET30的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMS8050ET30相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDMS8050ET30 - N 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDMS8050ET30 - 产品描述

    该N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。已针对低栅极电荷和极低rDS(on)进行了优化。

    FDMS8050ET30 - 产品特性
    • TJ额定值扩展：175°C
    • 最大值 rDS(on) = 0.65 mΩ（VGS = 10 V，ID = 55 A
      • ）
    • 最大值 rDS(on) = 0.9 mΩ（VGS = 4.5 V，ID = 47 A
      • ）
    • 低 rDS(on) 和高效
      • 的先进硅封装
    • MSL1 耐用封装设计
    • 100% 经过 UIL 测试
    • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMS8050ET30 - 产品应用
    以下列出了FDMS8050ET30相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMS8050ET30量产-ROHS：截至2014年11月$1.4459
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