该N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。已针对低栅极电荷和极低rDS(on)进行了优化。

• TJ额定值扩展：175°C
• 最大值 rDS(on) = 0.65 mΩ（VGS = 10 V，ID = 55 A
）
• 最大值 rDS(on) = 0.9 mΩ（VGS = 4.5 V，ID = 47 A
）
• 低 rDS(on) 和高效
的先进硅封装
• MSL1 耐用封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMS8050ET30	量产-ROHS：截至2014年11月	$1.4459

• FSBF5CH60B - Motion SPM 3 系列
• NC7SV05 - TinyLogic ULP-A反相器（漏极开路输出）
• FGA25N120ANTD - 1200V，25A，NPT沟道IGBT
• FSA8058 - 具有湿度感测功能的音频插孔检测和配置开关
• P6KE8V2A - 600W瞬态电压抑制二极管
• FDMC7200S - 30V 双N沟道PowerTrench MOSFET
• FAN7930B - CrCM PFC 控制器，可编程 OVP
• FQPF6N80T - N 沟道 QFET MOSFET 800V, 3.3A, 1.95Ω
• MBR1060 - 10A肖特基势垒整流器
• MOC3012M - 6引脚DIP 250V任意相位三端双向可控硅开关驱动器输出光电耦合器