此器件特别设计为一个单封装解决方案，以实现Li-Ion电池包保护电路和其他超便携应用。FDZ1416NZ采用飞兆先进的PowerTrench工艺和最新“低间距”WLCSP封装工艺设计而成，具有两个共用漏极N沟道MOSFET，可提供双向电流，最大限度地减小了PCB空间和rS1S2(on)。先进的WLCSPMOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rS1S2(on)融合为一体。

• VGS = 4.5 V，ID = 1 A时，最大rS1S2(on) = 23mΩ
• VGS = 4 V，ID = 1 A时，最大rS1S2(on) = 25mΩ
• VGS = 3.1 V，ID = 1 A时，最大rS1S2(on) = 28mΩ
• VGS = 2.5 V，ID = 1 A时，最大rS1S2(on) = 33mΩ
• 只占用2.2 mm2的PCB面积
• 超薄封装： 安装至PCB时，高度小于0.35 mm
• 高功率和高电流处理能力
• HBM静电放电保护等级为>3.2kV（注3）
• 符合RoHS标准

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FDZ1416NZ	量产-ROHS：截至2014年3月	$0.261

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