此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC-DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。已经针对低栅极电荷、低RDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

• 最大值 RDS(on) = 3.1 mΩ（VGS = 10 V, ID = 22 A
时）
• 最大值 RDS(on) = 4.3 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 19 A
时）
• 低 rDS(on) 和高效的先进硅封装
• 下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
• MSL1 耐用封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准

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• 消费电子

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMS8333L	量产-ROHS：截至2012年12月	$0.6525

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• BUT11AF - NPN芯片晶体管
• FDB3632 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 100V、80A、9mΩ
• NC7NP34 - TinyLogic ULP三路缓冲器
• FSA831A - USB 2.0 高速 (480 Mbps) 充电器检测，带隔离开关
• RHRG3060_F085 - 600 V、30 A、2.0 V、TO-247（2 引脚）超高速整流器
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