此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC-DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。已经针对低栅极电荷、低RDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

• 最大值 RDS(on) = 3.1 mΩ（VGS = 10 V, ID = 22 A
时）
• 最大值 RDS(on) = 4.3 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 19 A
时）
• 低 rDS(on) 和高效的先进硅封装
• 下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
• MSL1 耐用封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

• 消费电子

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMS8333L	量产-ROHS：截至2012年12月	$0.6525

• FAN3121C - CMOS 输入、单通道同相输入、11.4 A 峰值灌电流、10.6 A 源电流低端栅极驱动器
• SMBJ85CA - 600W瞬态电压抑制二极管
• RURG80100 - 80 A、1000 V 超快速二极管
• BC560 - PNP外延硅晶体管
• SMCJ16CA - 1500W瞬态电压抑制二极管
• FAN6791 - 用于反激式和正激转换器的双通道 PWM 组合控制器
• FJA13009 - NPN芯片晶体管
• 1V5KE47CA - 1500W瞬态电压抑制二极管
• FAN4174 - Single and Dual, Rail-to-Rail I/O, CMOS Amplifier
• FCH76N60N - N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 76A, 36mΩ