N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。

• 扩展额定 TJ 至 175°C
• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 rDS(on)= 7.2 mΩ（VGS = 10 V, ID= 13.5 A
时）
• 最大值 rDS(on)= 10.3 mΩ（VGS = 6 V, ID= 11.5 A
时）
• 低 rDS(on) 和高效的先进硅封装
• MSL1 耐用封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准"

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具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMS86202ET120	量产-ROHS：截至2014年12月	$1.5225

• FSLV16211 - 24位总线开关
• FQD18N20V2 - N 沟道 QFET MOSFET 200V, 15A, 140mΩ
• RFP12N10L - 100V、12A、200mΩ、N沟道逻辑电平功率MOSFET
• KA5H0365R - 用于 35 W 离线反激式转换器的 650 V 集成电源开关
• MMSZ4697 - 10V、0.5W齐纳二极管
• DF02S - 1.5A桥式整流器
• FCB20N60F_F085 - N 沟道 MOSFET 600V、20A、190mΩ，
• 1N5393 - 1.5A通用整流器
• FSTD16211 - 支持电平转换的24位总线开关
• BZX79C7V5 - 7.5V、0.5W齐纳二极管