N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。

• 扩展额定 TJ 至 175°C
• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 rDS(on)= 7.2 mΩ（VGS = 10 V, ID= 13.5 A
时）
• 最大值 rDS(on)= 10.3 mΩ（VGS = 6 V, ID= 11.5 A
时）
• 低 rDS(on) 和高效的先进硅封装
• MSL1 耐用封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准"

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具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMS86202ET120	量产-ROHS：截至2014年12月	$1.5225

• BDW94C - PNP外延硅晶体管
• RV4145A - 低功率接地错误中断控制器
• FAN7842 - 225 V、TTL 输入逻辑兼容、0.65/0.35 A 灌电流/源电流、半桥栅极驱动
• 4N27M - 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器
• FDBL0150N80 - N 沟道 PowerTrench MOSFET
• FQPF3N80C - N 沟道 QFET MOSFET 800V, 3A, 4.8Ω
• P6KE68A - 600W瞬态电压抑制二极管
• BUZ11 - 50V、30A、40mΩ、N沟道Power MOSFET
• FPF2110 - 提供反向电流阻隔的全功能负载开关
• FDS6911 - 20V 双N沟道逻辑电平PowerTrench MOSFET