这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态阻抗并保持卓越开关性能而定制的。这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

• rDS(on) = 13 mΩ @ VGS = 10
• rDS(on) = 17 mΩ @ VGS = 4.5 V
• 快速开关速度
• 低栅极电荷
• 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
• 高功率和高电流处理能力

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDS6911	量产-ROHS：截至2015年1月	$0.64

• FQP9N30 - N 沟道 QFET MOSFET 300 V、9 A、450 mΩ
• FQD3P50TM - P 沟道 QFET MOSFET -500V，-2.1A，4.9Ω
• MMBTA55 - PNP通用放大器
• FSQ0465RS - 支持准谐振运行模式的 650 V 集成电源开关，用于 48 W 离线反激式转换器
• FQD13N10L - N 沟道 QFET MOSFET 100V，10A，180mΩ
• FQPF33N10 - N 沟道 QFET MOSFET 100V，18A，52mΩ
• FAN7318A - LCD 背光逆变器驱动 IC
• FJAFS1720 - ESBC 额定 NPN 功率晶体管
• FSB50325A - Motion SPM 5 系列
• FDC3512 - 80V N沟道PowerTrench MOSFET