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FQD3P50TM - P 沟道 QFET MOSFET -500V，-2.1A，4.9Ω
FQD3P50TM是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FQD3P50TM是P 沟道 QFET MOSFET -500V，-2.1A，4.9Ω，本站介绍了FQD3P50TM的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQD3P50TM相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQD3P50TM - P 沟道 QFET MOSFET -500V，-2.1A，4.9Ω - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FQD3P50TM - 产品描述
该P沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
FQD3P50TM - 产品特性
- -2.1 A, -500 V, RDS(on) = 4.9 Ω（最大值）（VGS = 10 V 且 ID = -1.05 A 时）栅极电荷低（典型值：18nC）
- 低 Crss（典型值9.5pF）
- 100% 经过雪崩击穿测试
FQD3P50TM - 产品应用
- 照明
以下列出了FQD3P50TM相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| PCFQ3P50W | 量产-ROHS | 不适用 |
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