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FDMD8900技术文档下载：
FDMD8900 - N 沟道 PowerTrench MOSFET
FDMD8900是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMD8900是N 沟道 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMD8900的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMD8900相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMD8900 - N 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMD8900 - 产品描述
此器件采用两颗经优化的N沟道FET，置于散热强化型3.3x5mmDualPower封装内。高压源极和低压漏极内部相连，提供低源极电感封装，有助于实现最佳品质因数(FOM)。
FDMD8900 - 产品特性
- Q1：N沟道
- 最大 rDS(on) = 4 mΩ（VGS = 10 V、ID = 19 A ）
- 最大 rDS(on) = 5 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 17 A ）
- 最大 rDS(on) = 6.5 mΩ（VGS = 3.8 V、ID = 15 A ）
- 最大 rDS(on) = 8.3 mΩ（VGS = 3.5 V、ID = 14 A ）Q2：N沟道
- 最大 rDS(on) = 5.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 17 A ）
- 最大 rDS(on) = 6.5 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 15 A ）
- 最大 rDS(on) = 9 mΩ（VGS = 3.8 V、ID = 13 A ）
- 最大 rDS(on) = 12 mΩ（VGS = 3.5 V、ID = 12 A ）
- 是实现桥式拓扑初级侧灵活布局的理想选择
- 终端无引线且符合 RoHS 标准
- 100% 经过 UIL 测试
- 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力
FDMD8900 - 产品应用
以下列出了FDMD8900相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDMD8900 | 量产-ROHS：截至2015年2月 | $0.913 |
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