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Fairchild产品 - FDN338P介绍

FDN338P - P 沟道 2.5 V 额定 PowerTrench MOSFET

FDN338P是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDN338P是P 沟道 2.5 V 额定 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDN338P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDN338P相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDN338P - P 沟道 2.5 V 额定 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDN338P - 产品描述

此P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产。它已针对电池的电源管理应用进行了优化。

FDN338P - 产品特性
  • 1.6 A, 20 V.
  • RDS(ON)= 115 mΩ @ VGS = 4.5 V
  • RDS(ON) = 155 mΩ @ VGS = 2.5 V
  • 快速开关速度
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
  • SuperSOT -3 提供低 RDS(ON)，并且在同样的尺寸下，功率处理能力比 SOT23 高出 30%
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDN338P - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDN338P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDN338P量产-ROHS：截至2011年12月$0.305
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